|
| |||
![]() | |||
| Katalog elementówElementy półprzewodnikoweElementy mechaniczneKondensatoryIndukcyjności i ferrytyElementy zabezpieczająceKwarce, rezonatory, oscylatoryPCB, mat. lutowniczeOptoelektronikaBaterie i akumulatoryCzujniki i przetwornikiRezystory termistory warystoryWyświetlaczeTechnika wirelessMateriały antystatyczneNarzędziaZestawy ewaluacyjneWyszukiwanie zamiennikówSamwha SMD CeramiczneSamwha SMD ElektrolityczneST1S10 - kalkulatorStabilizatory linioweWspółpraca z namiRejestracja użytkownikaPrzypominj hasłoRegulamin serwisuProjekty dofinansowane z UE |
PowerMOS MDmesh V - nowoczesne tranzystory firmy ST MicroelectronicsTranzystory MDmesh V firmy ST to nowoczesne PowerMOS-y zapewniające ultraniską rezystancję kanału Rds(on) przy wysokich napięciach dren-źródło. Główne cechy tranzystorów PowerMOS MDmesh V:
Zastosowanie:Tranzystory PowerMOS MDmesh V pozwalają na znaczącą redukcję strat mocy dzięki niskiemu Rds(on) więc mogą być z powodzeniem stosowane w takich rozwiązaniach jak:
Dokumenty do pobraniaPrzykładowa karta katalogowa PowerMOS MDmesh V - STx21N65M5 [1.3 MB]Linki:Strona firmy ST Microelectronics - tranzystory MDmesh VWięcej informacjiNasi inżynierowie chętnie odpowiedzą na państwa dodatkowe pytania, pomogą dobrać odpowiednie komponenty lub udzielą niezbędnej pomocy techniczno-handlowej. Uprzejmie prosimy o wypełnienie poniższego formularza. |
||
![]() | |||
| Copyright © 2001-2012 MASTERS Sp. z o.o. | |||