PowerMOS MDmesh V - nowoczesne tranzystory firmy ST Microelectronics

Tranzystory MDmesh V firmy ST to nowoczesne PowerMOS-y zapewniające ultraniską rezystancję kanału Rds(on) przy wysokich napięciach dren-źródło.

Główne cechy tranzystorów PowerMOS MDmesh V:

  • Rds(on) rzędu 79mR
  • Napięcie Vds = 650V
  • Odporny na wysokie dv/dt
  • Duża szybkość przełączania
  • Obudowy:
    • TO-220
    • TO-220FP
    • I2PACK
    • D2PACK
    • TO-247
    • MAX-247
  • Szeroki zakres prądów pracy
ST PowerMOS Mdmesh V

Zastosowanie:

Tranzystory PowerMOS MDmesh V pozwalają na znaczącą redukcję strat mocy dzięki niskiemu Rds(on) więc mogą być z powodzeniem stosowane w takich rozwiązaniach jak:

  • Przetwornice DC-DC
  • Zasilacze AD-DC
  • Inwertery (DC-AC) w układach solarnych
  • Zasilacze UPS
  • Układy oświetleniowe
  • Ładowarki akumulatorów / kontrolery ładowania systemów solarnych itp.

Dokumenty do pobrania

Przykładowa karta katalogowa PowerMOS MDmesh V - STx21N65M5 [1.3 MB]

Linki:

Strona firmy ST Microelectronics - tranzystory MDmesh V

Więcej informacji

Nasi inżynierowie chętnie odpowiedzą na państwa dodatkowe pytania, pomogą dobrać odpowiednie komponenty lub udzielą niezbędnej pomocy techniczno-handlowej. Uprzejmie prosimy o wypełnienie poniższego formularza.

Imię i nazwisko:
Firma / organizacja:
E-mail:
Wiadomość